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抗蚀剂的研究进展

鏃ユ湡;2019-07-23  鏉ユ簮锛毼粗  浣滆咃細admin

  抗蚀剂的研究进展_电子/电路_工程科技_专业资料。综述了紫外光曝光的抗蚀剂、电子射线抗蚀剂、X射线抗蚀剂、电沉积抗蚀剂的组成、成像原理和分辨率,并对几种高性能抗蚀剂的原理及用于抗蚀剂的新材料做了介绍.

  +52· 豺料旱撮 2000年6月第14卷幕6期 抗蚀剂的研究进展 冯宗财王跃州。 王劲 {器鲻太学离分子毒|辩工程黧家重点赛验塞黼Ⅲ大学高分子材辩鞋学与工穰系,戒群610%5) 摘鬃 综连了紫外乇曝光的抗蚀刺、电手射巍抗蚀荆、x射戏抗蚀荆、屯沉椒抗蚀弃j的组成、成像原理和分辨 率,井辞忍特蔫娃携抗强制罅菲理蕊用于藐蚀裁螬新精辩韫彳舟站。 关键词 抗蚀削辑撼固地辫形加工印刳电搭 Research Progress on Lithographic Resists Feng Zongcai W&ng Yuechuan。 Wang Jin t蕊p8nment耐P。ly黜f Sclence and E鲻}耻erlng,S招靶K。y l。ab。坤协fy of P。lymef Matenals EnglnEerIng,Slchuan Unlverslty tChe“gdu 61006S-ChIna) Abstr扭ct Th峙revlew summarlzes recellt progres3 m w。rk on llthogramphic and electfic如p。snton res搏ts exp05ed to varlous radlatIon sources L耐ludlng UV,electronK beam and X·r3y radianon.New mcthods arm matPrlal5 }Dr resis拈afe ais。lfnf。dnced Key啪rks fes搏£s。碡。£瓣Hflng,jn&譬糟Pby,拶n}ed b。甚砖flreHn5 自德国于60年代酋次使辐射固化涂层uV固化进入商品 他以来,辐射圈纯技术在叠世羿迅速发麓趁来“卅j。抗蚀荆作 为辎射露诧残用的一个疆域是涟符微缨霉形加王、利建擞毫 子器{牛椰印制扳电路的关键化学晶。按_匣应机理毒Ⅱ显影原理 分正型(曝光溶解型)和负毅(曝光盘联型);按施工方法分干 膜、液体厦屯沉积抗蚀剂;接曝光光源分为g绒(436nm)、f线snm)、短渡长紫外线nm)、电子射线、x射线抗蚀粥。 率文对捷挫剡抟或震秘发疑作一奔耀。 1 g线撬锤帮 g线用正塑抗蚀剂由碱溶惶酚醛树脂、荣醌·2+迭氟一s一磺 酸蘸、溶期薪构成。其藏像原理是,选妻:蘸仡台翱睡光后分解 为氮气和尊酮,后者极舄为微量水分解戚茚羧酸+可溶于碱性 湿影液;米曝光部分溶解而构成图形。反应过程表示如下Ⅲ; 一 移蛞 譬 也吨 坠 《r。 ∞里Ⅱ 乾㈣ 且前市售正性抗蚀剂.分辨率差别不大。在不考虑所形成 的图像断面的若干梯彤形状,能达到O 5pm的分辨率93;负型 抗蚀髑对g线被感,并其有高的分辨率耩蘸好的醋蚀剡性,弼 器率丑立纯戚工韭蚱琏G一30。oN【l阻”】。肄剧莓开发出在厨一 分子中引入光骨解性羊n光交联性基明有正型和负溅功能的复 合功能型抗蚀剂n卜”]。由于g臻抗蚀剂分辨率不高,随着印 黼图形韵镀缡亿。运新转向分辨率商的l线抗蚀剂。 万方数据 通讯联系人 2 i线撬蚀荆 靛焉波长为鞠轴m蜘t钱曝毙毙g线曝光具有妥离扮分 辨率,但馋|5童着曝光光漂从g线变成t线,正型抗蚀判材料也 随之发生变化。选择对i线吸收最小的成分和配比十分关键。 母 毋 措报导酚醛树脂选用邻位接台结构;撩光剂用化台物e【]和 C I]的醢纯耪能获得高分辨率“】。 珏 【玎 fⅡ】 组成为环他橡胶和双叠氮化台物的檬胶系负性光致抗蚀 ;猎,对{线其有嵩静感魔.钽分辨率幂蓰离。藤掰簌于显影对 量彩漩港胀拄蚀裁。正型程受型抗蚀粼一样,盟彩封-显影藏 不能潞胀抗蚀荆膜.否则分辨率下降。如碱溶性酚醛树脂加入 芳香旗叠氟感光荆形成的正型抗蚀荆易被显影液瞎胀而使分 辨率下降曲。引。故要求讵型、负型以_疑有捱型和负型功能的 鬟舍秘箍燮抗攮荆不耗棱显影液麝溶簌,爸翻得举到离分辨 率。多田野等哥发出一秘赢分辨率负型拄蚀剂,它是在碱溶性 酚醛树脂中加入二苯基=羟基硅烷和档盐,曝光时·嗡盐分解 生成酸,酸催化使二苯基二趣基硅烷脱水雏台t形戚不溶于碱 经承溶液的聚合耪““。它的特点箍t线透过率离{】牲m薄鹩膜 透过率78%)+感度麟惩罐}辫僚其毒嶷好辫颤疆落状。 S簸波长紫夕}线抗镶齐j 抗蚀帮的鬣终分辨建曝光光源酌波长,为楗高骨辨宰·光


 
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